How to Cite
Abstract
Ushbu ilmiy maqolada yarimoʻtkazgichlarda elektr maydonining hosil bo‘lish jarayoni, uning fizikasiy asoslari, energetik zonalardagi potensial to‘siqlar va zaryad tashuvchilarning taqsimlanishi tahlil qilinadi. Shuningdek, elektr maydonini boshqarishning zamonaviy usullari — doping texnologiyasi, PN-o‘tishlarning shakllanishi, MOS tranzistorlarda gate potensialining roli, kvant o‘tish hodisalari va nanoelektron qurilmalar misolida ko‘rib chiqiladi. Maqola zamonaviy mikroelektronika, nanotexnologiyalar va integral sxemalar ishlab chiqarishdagi dolzarb masalalarni qamrab oladi.
References
1. S.M.Sze, “Physics of Semiconductor Devices”.
2. Ben G.Streetman. “Solid State Electronic Devices”.
3. Neamen. “Semiconductor Physics and Devices”.
4. Modern Nanoelectronics Journals (2020-2025).