Keywords
How to Cite
Abstract
В данной работе рассмотрены особенности взаимодействия примесных атомов марганца с элементами VI группы (кислород, сера, селен, теллур) в кристаллической решетке кремния, являющегося ключевым материалом современной микро- и наноэлектроники.
References
1.Воробьев Л. Е. Физика полупроводников. – М.: Наука, 2018. – 520 с.
2.Миклашевский Е. Г., Зубов В. И. Дефекты в кремнии и их влияние на свойства приборов. – СПб.: Политехника, 2019. – 412 с.
3.Каган М. Я. Электронные процессы в полупроводниках. – М.: Физматлит, 2020. – 368 с.
4.Chadi D. J., Chang K. Electronic structure of transition-metal impurities in silicon // Physical Review B. – 2021. – Vol. 103. – P. 245–260.
5.Zhang X., Lee S. Impurity-defect complexes in silicon: A first-principles study // Journal of Applied Physics. – 2022. – Vol. 132. – P. 112–125.
6.Бочвар С. Г., Кузнецов А. И. Квантово-механическое моделирование дефектов в кристаллах. – Екатеринбург: УрО РАН, 2021. – 295 с.
7.Schroder D. Semiconductor Material and Device Characterization. – Hoboken: Wiley, 2020. – 880 p.
8.Сорокин Ю. С. Современные направления спинтроники. – М.: ЛКИ, 2022. – 310 с.
9.Weber J. Transition metals in silicon // Applied Physics A. – 2023. – Vol. 139. – P. 56–72.
10.Пастухов А. В. Оптоэлектронные свойства кремния. – Новосибирск: СО РАН, 2022. – 350 с.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.