LEGIRLANGAN KREMNIYLI FOTOQARSHILIK YARATISH VA UNI TURLI HARORATDA YORUG‘LIKKA SEZGIRLIGINI O‘RGANISH

Kurbanova Qundiz Paraxat qizi

Authors

Kurbanova Qundiz Paraxat qizi TDTU “REM” kafedrasi dotsenti, PhD

Keywords:

kremniy, legirlash, fotoqarshilik, fotoo‘tkazuvchanlik, generatsiya-rekombinatsiya, tashuvchilar umri, ommik kontakt, harorat dreyfi, sezgirlik, passivatsiya

Abstract

Fotoqarshiliklar (fotorezistorlar) optoelektronikada nurlanish oqimi ta’sirida elektr o‘tkazuvchanligi o‘zgaruvchi sezgir element sifatida keng qo‘llaniladi. Ayniqsa, kremniy (Si) asosida tayyorlangan va maqsadli ravishda legirlangan fotoqarshiliklar texnologik moslashuvchanligi, uzoq muddat barqarorligi va turli muhitda ishlash imkoniyati bilan ajralib turadi. Ushbu maqolada legirlangan kremniyli fotoqarshilikning fizik asoslari hamda texnologik yechimlari professor darajasida, ilmiy qoidalar va amaliy misollar bilan bayon qilinadi.

References

1. Maxkamov Sh., Maxmudov Sh.A., Sulaymonov A.A., Rafikov A.K. Influence of Temperature on Photoresistors Obtained on the Basis of Compensated Silicon // Vіdnovlyuvana yenergetika ta yenergoefektivnіst u XXI stolіttі: materіali XXII mіjnarodnoї naukovo-praktichnoї konferensії (Kiїv, 20-21 travnya). - K.: Іnterservіs. - S. 502-509. 2021.

2. Sultanov N.A. Fotoelektronika: temperaturnaya zavisimost fotootveta fotorezistorov iz p-Si(Tl) // Fotoelektronika. - № 15 (fragment). - S. 105-106. 2006.

3. Sze S.M., Li Y., Ng K.K. Physics of Semiconductor Devices. - 4th ed. - John Wiley & Sons. - 944 p. 2021.

4. Casalino M. et al. Near-Infrared Sub-Bandgap All-Silicon Photodetectors: State of the Art and Perspectives // Sensors (MDPI). - 10(11). - P. 10571-10600. 2010.