Abstract
Ushbu tadqiqot chang zarralarining Galliy Arsenid (GaAs) asosidagi quyosh xujayralarining ishlashiga ta'sirini o'rganadi. Quyosh panellarida chang to'planishi keng tarqalgan muammo bo'lib, ularning samaradorligini sezilarli darajada kamaytiradi. GaAs yuqori samarali quyosh xujayralari uchun istiqbolli materialdir, ammo samarali texnik xizmat ko'rsatish va ishlashni optimallashtirish uchun uning chang zarralari ta'siriga sezgirligini tushunish kerak. Ushbu tadqiqotda chang zarralarining GaAs quyosh batareyasi ishlashiga ta'siri keng qamrovli eksperimental tadqiqot orqali baholanadi. Topilmalar turli xil chang zarralari o'lchamlari, kontsentratsiyasi va tarkibining GaAs quyosh batareyalarining quvvat chiqishi va samaradorligiga ta'sirini ochib beradi. Natijalar changni kamaytirish strategiyalarini ishlab chiqish va GaAs asosidagi mustahkam va bardoshli quyosh panellarini loyihalash uchun qimmatli tushunchalarni beradi.
References
Васильев В.А., Тарнижевский Б.В. Расчётные технико-экономические характеристики солнечных комбинированных фототермодинамических энергоустановок // Известия РАН. Энергетика. 2005. № 3. С. 148-156.
Журкин Б.Г. Квантовый эффект Холла в гетероструктурах GaAs // Препринт АН СССР. М., 1985. С. 3243.
Кренэнелл А., Уонг К. Поверхность Ферми. М.: Атомиздат, 1981. 350 с.
Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. М.: Физматлит, 2004. 800 стр.
Искандеров А., Бустанов Х.Х. и др. Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия. Ташкент: Фан, 1986. 144 с.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.